本文主要研究了非晶铟镓锌氧化物（amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide,a-IGZO）薄膜晶体管（Thin-Film Transistor,TFT）的持续光电导（Persistent Photoconductivity,PPC）效应及其光强依赖关系,即光照停止后其光电导仍持续很长时间。a-IGZO TFT在绿光或波长更短的光照射下有光响应,结合PPC的温度依赖性,中性氧空位（Oxygen Vacancy,Vo）在光激发诱导下电离产生的二价氧空位（Vo2+）亚稳态缺陷被确认为PPC的起源,该缺陷邻近的金属原子会经历向外的晶格弛豫并形成势垒,阻碍了电子和Vo2+的正常复合。本文针对Vo缺陷有较大差异的增强型和耗尽型两种a-IGZO TFT,在不同光强下系统研究了漏极电流的瞬态光响应和PPC,根据TFT沟道层Vo缺陷密度的差异和光照这两个关键因素,我们提出了a-IGZO TFT中光致亚稳态缺陷产生的统一模型。首先,本文研究了增强型a-IGZO TFT在不同光强下的瞬态光响应和PPC,发现光强越大,光响应越大且越快,PPC恢复越快。并且选择三种光强分别研究了在不同温度下的瞬态光响应和PPC,发现光强越大,光激发和恢复时间常数的激活能都越小。增强型a-IGZO TFT中Vo缺陷密度较低,光致亚稳态缺陷是一个热激发的过程,光诱导Vo电离释放电子以及邻近原子晶格弛豫形成亚稳态Vo2+的过程并非自发,涉及到克服某个势垒的微观过程。我们首次发现,光激发时间常数的激活能随光强增加而降低,这意味着当光强增加,微观层面更多缺陷被同时激发,其集体的弛豫可能涉及到协同作用,比低光强下少量缺陷的独立激发更容易完成。此外,本文研究了耗尽型a-IGZO TFT在不同光强下的瞬态光响应和PPC,耗尽型a-IGZO TFT中Vo缺陷密度很高,光致亚稳态缺陷并非热激发过程而是光照下自发形成的。我们首次发现阈值曝光量是光致亚稳态缺陷形成的必要条件。在阈值曝光量以下的低曝光量条件下,仅能形成较低的PPC势垒且PPC恢复很快,光响应随曝光量的增加显著增大、加快,PPC恢复随曝光量的增加显著变慢;当曝光量大于阈值曝光量时,光激发足够充分,光致缺陷已然形成,光响应则随曝光量的增加缓慢增大、加快,PPC势垒则基本维持稳定不再随曝光量而增加,反而随着曝光量的持续增加,Vo电离释放的电子浓度越来越多,部分屏蔽了 PPC势垒,并使之略有降低,PPC恢复则随曝光量的增加而略微变快。