【摘 要】
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ZnO是直接的宽带隙半导体材料,被广泛应用于光电器件上。本论文中,我们利用射频磁控溅射方法在玻璃基底上成功制备了高质量的ZnO:Al薄膜,并系统研究了基底温度和O_2流量对薄膜结构、电学性质和光学性质的影响。利用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、物理性质测试系统(PPMS)、光致发光谱(PL)和紫外-可见分光光度计对样品的结构、价态、电学性质和光学性质分别进行了测试。实验发现,不
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ZnO是直接的宽带隙半导体材料,被广泛应用于光电器件上。本论文中,我们利用射频磁控溅射方法在玻璃基底上成功制备了高质量的ZnO:Al薄膜,并系统研究了基底温度和O_2流量对薄膜结构、电学性质和光学性质的影响。利用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、物理性质测试系统(PPMS)、光致发光谱(PL)和紫外-可见分光光度计对样品的结构、价态、电学性质和光学性质分别进行了测试。实验发现,不同基底温度和O_2流量下制备的ZnO:Al薄膜均沿(002)方向择优生长,且其中的Zn和Al分
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