相控阵系统具有体积小、可靠性高、成本低廉、反应速度快等优势,已经被广泛应用于雷达、导弹以及通信等军事和民用领域,移相器作为相控阵列T/R组件的重要组成部分,其性能直接影响相控阵的系统性能,因此对于移相器的研究也得到业内的青睐。在国外,移相器发展较早,技术和工艺较国内更加成熟,逐渐向MMIC类移相器和MEMS类移相器不断发展,体积小和低成本成为研究的重点。近年来,国内对移相器的研究也更加重视,不断涌出新型的研究成果。本课题设计出一款X波段的移相器,性能良好。本文首先对相控阵T/R组件的背景以及核心技术进行简单阐述,并且对无源开关器件进行原理描述,为选用MOSFET开关控制器件提供了有利依据。然后在此理论基础上,分析了各种移相器结构的特点和工作原理,对比了开关线型移相器、加载线型移相器、反射型移相器以及高低通型移相器。针对不同的移相单元模块特点,分别选用不同的移相网络拓扑结构,小度数移相单元采用低通结构;大度数移相单元采用高低通网络结构。本设计采用UMC 0.18μm 1P6M工艺进行仿真和版图绘制以及流片,采用Candence软件进行级联设计,电路包括6个移相单元模块,分别是5.625°、11.25°、22.5°、45°、90°、180°,以5.625°为步长,实现64种移相状态的变化,工作频率在9.4GHz-10.6GHz,在整个工作频带内插入损耗12d B,幅度波动1.5dB,移相精度5°,达到了设计指标要求。