本文对Ku波段13.5～14.5GHz单片低噪声放大器的设计进行了研究，给出了单片低噪声放大器的设计原理和设计方法。并对电路的拓扑结构进行了改进，提出了一种新的拓扑结构，很好的改善了电路的性能。本文设计的单片低噪声放大器采用片内匹配的三级电路实现，选用0.25um pHEMT砷化镓工艺。整个电路的输入级按最小噪声匹配进行设计，级间和输出端均匹配到50欧姆。作者首先使用了传统的设计MMIC低噪声放大器的方法进行设计。在电路的源级增加电感串联负反馈增加电路的稳定性，使输入匹配变的更加容易实现。然后采用三级相同的结构直接进行级联实现这种低噪放芯片。针对传统设计方法的缺点，作者试验了多种反馈网络形式，找到了一种新的改善电路性能的拓扑结构。这种方法保持第一级放大电路设计不变，然后在第二级和第三级电路的源极增加由电容和电阻串联构成的反馈网络。从电路仿真结果来看，这种拓扑结构在保持电路噪声基本不变的前提下，很好的改善了电路的增益平坦度和输入输出驻波比，使电路的增益平坦度限定在±0.25dB以内，输入驻波比小于2.0∶1，输出驻波比小于1.3∶1的优良特性。这种新颖的拓扑结构可以为单片低噪声放大器设计者尝试使用。最后实现的Ku波段13.5～14.5GHz单片低噪声放大器在工作频带内噪声小于1.9dB、增益大于28dB，增益平坦度小于±0.25dB，输入驻波比小于2.0∶1，输出驻波比小于1.3∶1等优良特性，符合设计指标要求。