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目的：研究工频磁场诱导FL细胞活性氧产生的机制及其与表皮生长因子受体(EGFR)聚簇之间的关系。方法：以人羊膜FL细胞为研究对象,将其暴露于0.4mT、50Hz的工频磁场,采用活性氧试剂盒检测工频磁场暴露对细胞内总活性氧水平的影响并确定其阈强度,利用化学发光法分析工频磁场暴露对胞内NADPH氧化酶活性的影响,采用线粒体ROS探针和胞浆ROS探针技术分析工频磁场暴露对细胞线粒体和胞浆内的ROS水平的影响,利用免疫化学荧光及激光共聚焦显微镜技术分析NADPH氧化酶在工频磁场诱导EGFR聚簇中的作用,运用SAS9.1软件对实验数据进行配对t检验、方差分析和SNK检验并统计分析。结果：研究结果显示,0.4mT的工频磁场暴露15min和30min后,FL细胞内的总ROS水平均升高,且差异均具有统计学意义(P<0.05)；而暴露60min后,FL细胞内的总ROS水平与假暴露组无显著差异(P>0.05)。0.2mT的工频磁场暴露15min也能诱导FL细胞内的总ROS水平明显升高(P<0.05)；而0.1mT的工频磁场暴露15min不能升高细胞内的总ROS水平(P>0.05)。0.4mT的工频磁场暴露15min和30min后,可诱导FL细胞线粒体内ROS显著升高(15min组1,30min组P<0.05),而暴露5min和60min后,线粒体内ROS水平与假暴露组均无差异(P>0.05)；0.4mT的工频磁场暴露5min、15min和30min后,同样可诱导FL胞浆内的ROS水平升高,且差异均具有统计学意义(P<0.05),而暴露60min后,胞浆内的ROS水平与假暴露组无差异(P>0.05)。0.4mT的工频磁场暴露5min、15min和30min后,FL细胞内NADPH氧化酶的活性与假暴露组比较均升高(P<0.05)；而暴露60min后,胞内NADPH氧化酶活性与假暴露组无差异(P>0.05)。经NADPH氧化酶抑制剂DPI (1μM)预处理15min后,0.4mT工频磁场暴露组细胞内总活性氧水平和胞浆内的活性氧水平均比未经DPI处理组低(P<0.05),且与假暴露组相比均无差异；而0.4mmT工频磁场暴露15min和30min诱导的线粒体活性氧产生均不能被DPI (1μM)抑制(P>0.05)。0.4mmT工频磁场暴露15min后,发生EGFR聚簇细胞的百分率显著增加(P<0.01)；而DPI (1μM)预处理15min后,可抑制工频磁场诱导的细胞膜EGFR聚簇。结论：基于本研究的结果,可以获得以下结论：1.工频磁场暴露可诱导FL细胞产生活性氧,其阈强度在0.1-0.2mT之间；2.工频磁场可通过提高NADPH氧化酶的活性增加FL细胞胞浆内活性氧水平,并部分介导FL细胞膜表面EGF受体聚簇；3.工频磁场暴露可诱导FL细胞线粒体活性氧产生,但与NADPH氧化酶可能不相关。