纳米时代,发展新型的高介电常数(high-k)电介质材料以取代沿用至今的二氧化硅作为闸极电介质是当前微电子材料领域所面临的最大技术挑战之一。金属烷氧化合物、硅基化合物和氨基化合物的CVD反应已经用来制备这些材料,但是,CVD反应过程通常比较复杂,其中的机理到目前还不十分清楚。通过设计合成一系列可作为CVD源的前期过渡金属烷氧化合物、硅基化合物和氨基化合物,并在此基础上探索CVD源化合物的组成、结构与形成high-k膜材料的关系,从而为筛选与合成潜在的high-k材料提供理论支持。本文利用过渡金属氯化物(TaCl5、NbCl5、ZrCl、HfCl4)与二(三甲基硅基)氨基锂[LiN(SiMe3)2]反应,二甲基氨基锂(LiNMe2)和碳化二氨(CyN=C=NCy)反应得到一系列的可作为CVD源的过渡金属氨基化合物,并利用核磁共振,X-ray单晶衍射等对其进行了表征。1.利用过渡金属氯化物(TaCl5、NbCl5)与二(三甲基硅基)氨基锂[LiN(SiMe3)2]反应,得到了化合物TaCl3[N(SiMe3)2]2(1)、NbO[N(SiMe3)2]3(2)并将TaCl3[N(SiMe3)2]2(1)与二甲基氨基锂(LiNMe2)进行了核磁研究。2.利用过渡金属氯化物(ZrCl4、HfCl4)与二(三甲基硅基)氨基锂[LiN(SiMe3)2]反应,得到了化合物ZrCl[N(SiMe3)2]3(3)和HfCl[N(SiMe3)2]3(4),并与苯基硅烷(H3SiPh)和二甲基氨基锂(LiNMe2)进行了核磁研究。3.探索了TaCl5与原位生成的MCyN(N(SiMe3)2NCy(M=Li,K)以1：1的摩尔比反应。