电子信息设备的应用领域不断拓展,工作环境日趋极端,经常会面临高温、辐照等恶劣环境因素。智能开关芯片作为电子信息设备的重要部分,其在复杂环境下的电磁兼容性能直接影响着系统是否能够正常运转。在电磁干扰与温度的作用下,智能开关芯片的电磁兼容问题会导致所在电路的响应出错,从而使电子系统功能故障。因此,对智能开关芯片电磁兼容性能受温度变化影响的研究,有利于提高电子信息设备的抗电磁干扰能力与可靠性。本文针对一款智能电源开关芯片,从理论与实验的角度,研究了温度对其电磁兼容性能中电磁敏感度的影响。通过分析智能开关芯片内部的器件与电路结构,研究了智能开关芯片在电磁干扰影响下的失效模式;在直接功率注入法的基础上,搭建了电磁敏感度温度效应实验测试平台,测试了电磁与温度联合应力对开关芯片的影响,并对实验结果进行了分析。论文具体工作如下:首先介绍了有关集成电路电磁兼容研究的课题背景,以及智能电源开关的发展历程与其保护电路结构,并对保护电路中电压比较器受射频信号干扰的机理进行了分析。然后,对智能开关芯片的电磁敏感度进行了研究。根据MOS管的电学特性分析了其受射频信号干扰的原理,对样品芯片的不同模式和引脚进行了直接功率注入法的电磁敏感度测试,并对不同模式和引脚下的测试结果进行了分析。结果表明,芯片在1 MHz～100 MHz抗扰度最差,在高频段随着频率的上升抗扰度逐渐提高。不同工作模式下,PWM工作模式下芯片整体抗扰度较低;不同引脚中,Vbb引脚抗扰度较高。最后,进行了智能开关芯片电磁敏感度的温度效应进行了研究。结合MOS管的电学特性和温度特性,分析了不同失效情况下,温度效应对开关芯片电磁敏感度的影响,并通过电磁敏感度温度效应的测试平台,对芯片Vbb引脚和IN引脚进行了测试。结果表明,芯片功能电路受射频信号影响导致失效时,芯片敏感度阈值随着温度的升高而升高;而功率MOSFET等由于射频信号的注入而击穿时,敏感度阈值随着温度的升高而降低。