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本文采用基于密度泛函理论和第一性原理全势能线性缀加平面波方法(FLAPW)，考虑了自旋轨道耦合效应(SOI)，对相变材料Sb2Te3-xSex(x≤3)同晶化合物体系的电子特性进行了理论研究。分别给出了Sb2Te3、Sb2Te2Se、Sb2TeSe2和Sb2Se3的能带图和具体带隙值，以及它们的总态密度和分波态密度图，经过分析得出结论：自旋轨道耦合效应对体系费米能级附近能带结构的影响很大；体系费米能级附近的电子态密度主要来源于各原子p态电子贡献；Sb2Te3、Sb2Te2Se、Sb2Se3均为间接带隙窄带半导体，Sb2Se2Te为直接带隙窄带半导体；在群结构相似的Sb2Te3、Sb2Te2Se和Sb2Se2Te三种晶体中，Sb2Te2Se更适合作为相变存储材料。