论文部分内容阅读
无线通信的迅猛发展极大推动了集成电路的发展,集成电路正不断朝着低成本、高性能、小型化的方向迈进。作为无线通信系统中的关键模块,压控振荡器的设计得到了很高的关注。相位噪声性能是压控振荡器最关键的性能之一,本文就如何设计低相位噪声的压控振荡器就行了研究。本文首先阐述了压控振荡器的基本原理,采用Win Semiconductors公司的GaAs HBT工艺完成了一个工作在K波段的低相位噪声压控振荡器。然后对相位噪声做了详细分析,根据这些分析提出了降低压控振荡器的相位噪声的一些方法,并在本文的设计中得到了应用。通过仿真得到该压控振荡器的中心频率为19.92GHz,在中心频率处的相位噪声为-116dBc/Hz@1MHz,调谐范围从19.62GHz到20.23GHz,在一个6V的直流电压源下,直流功耗为90mW。最后,对电路进行了版图设计。