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拉曼光谱学是研究物质元激发、结构和其它等物理性质的重要手段之一。它越来越受到人们的关注，并将其用于他们的工作中。本文利用拉曼光谱学的专业知识，对Bi系层状钙钛矿铁电氧化物Srm-3Bi4TimO3m+3(m=3，4，5)进行了系统研究，揭示了其结构与性质变化之间的关系，并重点分析讨论了非谐性互作用在光谱中的反映。本文还对当前另一研究热点ZnO基稀磁半导体(DMS)的拉曼光谱进行了研究，该方面的工作可以提供关于其结构等方面的基本信息，并可填补稀磁半导体领域的某些空白。以这两类物质体系为对象，完成了如下的工作：
1．通过改变Srm-3Bi4TimO3m+3中m的数值或者对Bi4Ti3O12(BTO)进行掺杂调制的多晶陶瓷SrBi4Ti4O15(SBTi4)、Sr2Bi4Ti5O18(SBTi5)、Bi4Ti3-xZrxO12(BTZx，x=0.2，0.5，1.0，1.5)和Bi3.25La0.75Ti3-xZrxO12(BLTZx，x=0，0.2，0.5，0.75，1.00，1.50)，其拉曼光谱表现出共同的光谱分区特征，且其光谱的不同主要体现在非谐性声子模式的不同上。SBTi5陶瓷的变温拉曼光谱研究表明，其结构、非谐性互作用和取向弛豫都分别随测量温度的改变而改变。而且，通过对BTZx和BIXZx陶瓷拉曼光谱的研究，揭示了其结构畸变与剩余极化变化间的关系。
2．对Srm-3Bi4TimO3m+3/(001)—LaAlO3(LAO)(m=3，4，5)薄膜的拉曼光谱进行了研究，发现其拉曼光谱与相应陶瓷的光谱显著不同。而且，对不同的m值，其结构的不同导致了不同强度的非谐性互作用，并在相应的拉曼光谱上得到了展示。通过对SBTi4/LAO薄膜变温拉曼光谱的研究，首次从实验上得到了该材料内部的声子频隙，并指出了频隙与能隙的异同。对该薄膜高频声子模式频移和半高宽随温度的变化进行了讨论，给出了其内部主要振动能级的分布，并揭示了其内部互作用的非谐性。
3．对ZnO基DMS薄膜的拉曼光谱进行了研究，发现ZnMnCoO/c—Sapphire薄膜的变温、变波长的拉曼光谱呈现一定的规律性。文中还对该薄膜在空气中后退火后的拉曼光谱进行了测量，并给出了各声子模式的指认。首次报道了磁性离子共掺杂ZnO薄膜的共振拉曼光谱，对其机制进行了讨论；并发现其电—声耦合与畸变能随薄膜在空气中后退火温度的不同而不同。Sapphire和Si衬底上ZnMnCoO薄膜共振拉曼光谱的比较，说明其共振拉曼光谱可用于验证其晶粒的ε轴取向度。
综上所述，Bi系层状钙钛矿铁电氧化物Srm-3Bi4TimO3m+3拉曼光谱的系统研究，表明其拉曼光谱的不同起源于非谐性声子的差异；ZnO基DMS薄膜的拉曼光谱亦不同于ZnO的拉曼光谱，体现了磁性离子掺杂在光谱上的反映。说明拉曼光谱学分析不仅可用于表征物质的结构和光谱性质，还可以提供相关物质材料的基本物理信息，如非谐性互作用和电—声耦合等。