一维纳米半导体材料具有优异的电学和光学性质,在构筑纳米电子和光电子器件等集成电路和功能元件的进程中充当重要角色。NiO是一种直接宽带隙半导体材料,由于其特殊的电子结构,良好的热稳定性,使其在催化剂、光敏元件、气敏元件等许多领域显示出优越的应用前景。本文利用传统的集成电路加工工艺制备出了单根NiO纳米线器件并对其性能进行了测试。主要优化了器件的制备工艺流程;研究了退火温度对于单根NiO纳米线器件I-V和光电特性的影响;最后在SiO₂/Si基片上制备出了背栅型单根NiO纳米线场效应晶体管并对其特性进行了测试分析。主要成果如下:1、研究器件制备过程中工艺参数对于器件结构的影响,优化出了最佳制备工艺流程;2、研究了退火温度对于单根NiO纳米线微结构和I-V特性的影响。测试发现纳米线随着退火温度的升高其氧化程度也逐渐增加,大部分纳米线为Ni/NiO核壳结构;I-V测试表明器件均为肖特基结构;在600℃退火氧化后制备的单根NiO纳米线器件中发现:在偏压较大时电流传输为隧穿模型;在较低偏压范围内电流传输满足镜像力模型,而且器件的有效势垒随着外加偏压的增大逐渐降低;3、研究了退火温度对于单根NiO纳米线器件光电特性的影响。测试发现400℃退火后,器件具有良好的的光电响应:在365nm高压汞灯辐射下,在+2V偏压处暗电流约为1.98mA,而光电流约为8.63mA,明暗电流比约为4⁵,而且随偏压的增加,光电流也逐渐增大;在氙灯照射下,光电流随光照强度的增强而增大;在248 nm的脉冲激光照射下,其响应时间约为1μs,但恢复时间较长约为30μs;4、利用600℃退火氧化的纳米线初步制作出了场效应晶体管,测试发现载流子迁移率约为3.2 cm²V^-1s^-1。