基于环保、寿命长等优势,白光LED有望成为新一代照明光源。作为白光LED重要组成部分,荧光粉对其显色性、亮度、寿命等方面影响很大。在荧光粉体系中,硅基氮化物荧光粉因含有Si-N四面体网状结构,在近紫外到蓝光（370 nm⁴65nm）激发下,于可见光范围内呈现出宽波长发射带,能够较好地应用于白光LED中。因此本文利用碳热还原氮化法合成Sr₂Si₅N₈:Eu²⁺与Sr₂Si₅N₈:Ce³⁺荧光粉,分别研究稀土离子(Eu²⁺,Ce³⁺)掺杂、离子Y³⁺、Al³⁺和Ti⁴⁺部分取代Sr²⁺与Si⁴⁺对荧光粉结构和发光性能的影响,主要研究成果如下:（1）在1500℃下合成了Sr₂Si₅N₈:Ce³⁺荧光粉,XRD研究表明,Sr₂Si₅N₈:Ce³⁺荧光粉晶体结构均与Sr₂Si₅N₈标准相（PDF 85-0101）吻合,属正交晶系（Pmn2₁空间群）。在510 nm监测下,激发光谱覆盖300 nm⁵00 nm;在430 nm蓝光激发下,荧光粉在450 nm⁶50 nm范围具有较强的宽峰发射,峰值位于510 nm左右,源于Ce³⁺的5d→4f电子跃迁。随着Ce³⁺掺杂量的增加,荧光粉发光强度先升高后下降,在Ce³⁺掺杂量超过3%后荧光粉发生浓度淬灭现象。探究了碱金属离子Li⁺、Na⁺和K⁺对Sr₂Si₅N₈:0.03Ce³⁺荧光粉的电荷补偿,其中在3%Li⁺、3%Na⁺和4%K⁺共掺杂时,荧光粉发光强度提升最显著,分别提高了33%、25%和14%。（2）合成了Sr₂Si₅N₈:Eu²⁺荧光粉,XRD研究表明,样品衍射峰与Sr₂Si₅N₈结构标准衍射峰（PDF 85-0101）一一对应,没有观察到其他的衍射峰。在613 nm监测下,激发光谱覆盖300 nm⁵50 nm,来源于Eu²⁺离子的4f⁷→4f⁶5d¹跃迁,在450 nm蓝光激发下,发射峰在500 nm⁷50 nm范围,峰值位于613 nm,由Eu²⁺的4f⁶5d¹→4f⁷跃迁引起。随着Eu²⁺浓度的增加,样品发光强度先上升后下降,在Eu²⁺掺杂量为2%时样品发光强度达到最大。从Sr₂Si_5-xAl_xN₈:0.02Eu²⁺(或Sr_2-xY_xSi_5-x-x Al_xN₈:0.02Eu²⁺)荧光粉的发射光谱可以看出,随着Al³⁺(或Y³⁺-Al³⁺)取代量的增加,样品发光强度先升高后下降,在Al³⁺(或Y³⁺-Al³⁺)取代量为0.4（或0.16）时样品发光强度最高,较Sr₂Si₅N₈:0.02Eu²⁺荧光粉发光强度均提高了22%。稀土离子Ce³⁺共掺杂提高Sr₂Si₅N₈:0.02Eu²⁺荧光粉发光性能,在Ce³⁺掺杂量为0.03时样品发光强度提升最多,比未共掺时提高了66%。（3）以葡萄糖(C₆H₁₂O₆)为还原剂合成了Sr₂Si₅N₈:0.02Eu²⁺荧光粉,确定最佳合成温度为1500℃,最佳还原剂掺杂量为n(C₆H₁₂O₆)/n（SrCO₃）=1.5,比碳粉作为还原剂时样品发光强度提高了34%。XRD研究表明,样品衍射峰与Sr₂Si₅N₈结构标准衍射峰（PDF 85-0101）一致。荧光光谱研究表明,随着Ti⁴⁺取代量的增加,样品发光强度先升高后下降,在Ti⁴⁺取代量为0.12时样品获得最好的发光性能,具体为发光强度提高了54%,荧光寿命延长至5.37 ms。