【摘 要】
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该文首先安装、调试一套具有质量分辨能力的低能离子束装置,并根据研究需要进行了必要的改进,实现了将其通过超高真空通道与XPS等表面分析仪器连接,建立一个超高真 空的原位
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该文首先安装、调试一套具有质量分辨能力的低能离子束装置,并根据研究需要进行了必要的改进,实现了将其通过超高真空通道与XPS等表面分析仪器连接,建立一个超高真 空的原位实验系统.所建离子束系统性能稳定、可靠,能保证在样品靶上得到一个能量为5 ˉ200eV、束流强度为2ˉ6μA的Ar<+>离子束,其最大束流密度可达200μA/cm<2>.并通 过散焦在样品靶上得到均匀的离子束束流密度分布,确保了实验中离子轰击剂量调节控制的准确性.然后,在该系统上进行了低能Ar<+>和He<+>离子与InP、GaAs、CdSe等化合物半 导体表面相互作用的研究.
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