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光刻是极大规模集成电路制造的关键技术之一，光刻分辨率决定集成电路芯片的特征尺寸。极紫外(EUV)光刻采用13.5nm波长的曝光光源提高分辨率，是深紫外光刻向更短波段的合理延伸，被认为是最具有发展前景的下一代光刻技术。掩模缺陷是阻碍EUV光刻实现量产的主要难题之一，目前主要采用一定的方法补偿缺陷对光刻成像的影响。准确快速的仿真缺陷对光刻成像的影响是实现缺陷补偿的先决条件。另一方面，由于EUV光刻实验的高成本，在EUV光刻技术研发过程中，需要借助光刻仿真手段降低研发成本、缩短研发周期。掩模衍射场的仿真计算是极紫外光刻仿真的重要环节。含缺陷掩模衍射场严格仿真方法的仿真精度高，但计算量大、计算速度慢，且无法得出衍射谱解析表达式。现有的快速仿真方法通常采用数值计算方法，限制了其速度的进一步提高，也无法给出衍射谱解析表达式。为实现含缺陷掩模衍射场快速高精度仿真，本文建立了EUV光刻含缺陷掩模理论模型并进行了研究，主要内容包含以下几个方面: 1.研究了现有的掩模衍射场仿真方法。从计算量、计算时间和计算精度上对严格仿真计算方法如时域有限差分法、波导法，以及快速仿真计算方法如域分解法、掩模结构分解法进行了比较分析，为建立含缺陷掩模衍射理论模型奠定基础。 2.基于米散射理论建立了含振幅型缺陷EUV光刻掩模的理论模型。以特征尺寸为22nm、周期为44nm、含半径为1至6nm振幅型缺陷接触孔图形为例进行了仿真验证。与Dr.LiTHO波导法严格仿真相比，该模型的仿真速度提高了约80倍，CD仿真误差小于lnm。仿真结果表明在保证计算精度的同时本模型的计算速度明显提高。同时，得到了含振幅型缺陷掩模衍射谱的解析表达式，为含振幅型缺陷掩模衍射效应的解析分析奠定了理论基础。 3.基于米散射理论建立了含相位型缺陷EUV光刻掩模的理论模型。仿真结果表明在保证计算精度的同时本模型的计算速度明显提高。同时，得到了含相位型缺陷掩模衍射谱的解析表达式，为含相位型缺陷掩模衍射效应的解析分析奠定了理论基础。