论文部分内容阅读
近年来,碳纳米管(CNTs)和碳纳米纤维(CNFs)等碳纳米材料以其优异的物理力学在高性能复合材料、新型电子器件等领域得到了广泛的应用,例如,复合电触头材料,超级电容器和吸波材料等。这些应用要求CNTs与金属导电基体之间具有良好的传导性能,而在金属基底上直接通过化学气相沉积(CVD)生长碳纳米材料则是获得低接触电阻界面的最直接有效的方法之一。本文采用沉积-沉淀法在铜粉上制备了Fe/Y、Ni/Y、Co催化剂,并通过CVD法原位合成碳纳米相,分析了催化剂含量、还原温度、生长温度和碳源载气比例等参