近几年,小分子半导体纳米材料由于其不同于无机和高分子半导体材料的特殊的光电性能引起了广泛的关注和研究。小分子种类繁多溶液化、低成本、可规模化加工的制备过程使得其成为构筑有机电子器件的理想材料。小分子半导体纳米结构的光电性能与其形貌和尺寸密切联系着。然而,制备形貌、尺寸可控的小分子纳米结构仍是个挑战,对它们的光电性能研究也处于起步阶段。因此,对小分子半导体纳米结构的可控制备及其光电性能的研究具有重要意义。本文对几种小分子半导体材料纳米结构的制备及其光电性能做了一些研究。1.利用溶剂挥发制备了超长、尺寸均一的NiOEP纳米线。基于纳米线薄膜器件显示了优异的光探测器性能,最大开关比和光响应度分别可达681和10.1 mA·W^-1。2.利用溶剂交换法制备了大尺寸、表面光滑的BPEA纳米片。基于此纳米片的器件显示了优异的光响应性能,最大的开关比分别可达105。此外,纳米片还显示了明显的光发射各向异性。3.利用溶剂交换法制备了ADPI纳米线。纳米线表现出优越的光波导性能,光传导损失为0.1 dB·μm^-1。纳米线显示了较好的光发射各向异性。4.利用溶剂挥发法,通过调节混合溶剂组合,制备了PdOEP微米线和微米块。微米线器件显示出了明显的光响应性能和稳定性。对比得出,基于微米线的器件显示了更优越的光响应性能。