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早在六十年前人们就发现了铁磁丝的电阻抗磁场特性,但直到1994年人们对巨磁阻抗效应（GMI效应）的研究才越来越深入和广泛。最初,人们是在非晶磁性材料中发现GMI效应的,如在软磁非晶丝和薄带等材料。后来当人们认识到影响GMI效应的重要因素有材料的软磁性,体系的磁各向异性（强度,方向和分布）,磁弹性各向异性后,为研究具有不同组分、不同形状的GMI效应材料,人们开始将研究范围从Co基非晶扩大到Fe基纳米晶;形状也扩展到:复合非晶丝、同轴电缆结构复合丝、纳米晶软磁体、溅射薄膜（单层和多层）、三明治结构等材料。而为了从各个不同的角度说明GMI效应的起因和应用条件,制备方法也有了多种退火方式:磁场退火、应力退火、扭力退火、电流焦耳热退火以及以上退火方式的组合。多年来人们的研究取得了许多突出的成就,相应地人们也制成了很多适用的传感器并在人们的生产和生活中取着不可替代的作用。当给Fe基纳米合金通一高频交流电时,其体现出良好的软磁性能,如:很高的磁导率、很小的磁各向异性、较低的矫顽力、无磁致伸缩等。因此,Fe基纳米合金倍受人们的关注。最近几年出现了许多研究软磁材料巨磁阻抗效应的文章,如对Fe-Zr-B,Fe-Co-B,Fe-Nb-B和Fe-Zr-B-Cu,Fe-Cu-Nb-Si-B等纳米晶薄带软磁性能及其在各种传感器、读写头等方面的应用研究。但是,据我们所知,到目前为止还没有发现过任何关于四元Fe-Zr-B-Co纳米晶薄带GMI效应方面的研究。为了探寻一种基于GMI效应的,在磁存储和传感器等方面具有更大应用价值的软磁材料,本论文第一次对Fe89-xZr7B4Cox（x=1,1.5;at.%为原子比）软磁纳米晶薄带的GMI效应做了详细研究,并对其GMI效应的物理机制和影响因素作了详细分析。纳米晶薄带由真空甩带法制得,甩带速度为40m/s。巨磁阻抗效应由HP4294A阻抗分析仪在室温下测得,试验结果显示材料存在一个最佳退火温度,一个最佳工作频率,还有一个横向磁各向异性场。具体如下:Fe87.5Zr7B4Co1.5纳米晶薄带经700℃退火后,在f=0.5MHz,H=90Oe,GMI（Z）%达到-45%;Fe88Zr7B4Co1纳米晶薄带经650℃退火后,在f=0.9MHz,H=90Oe,GMI（Z）%达到-52%;横向磁各向异性场分别在2Oe-5Oe的9Oe-12Oe。