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目的：探索抗表皮生长因子受体单克隆抗体耦联中空金纳米球(anti-EGFR/HGNs)增加宫颈癌细胞对HGNs的选择性摄取,并增强宫颈癌细胞的放射敏感性的可行性。方法：采用免疫荧光染色进一步证实EGFR在人宫颈癌细胞株CaSki细胞表面高表达；通过电化学置换法制备HGNs;透射电子显微镜(TEM)观察HGNs的尺寸和形态；带双官能团的SH-PEG-COOH(分子量5000Da)作为anti-EGFR单克隆抗体与HGNs的连接介质,介导HGNs的表面修饰；分光光度计检测以证实抗体与HGNs成功连接；电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)测量金纳米粒子溶液的浓度,并分别检测细胞内HGNs及anti-EGFR/HGNs的摄取量；CCK-8法进行HGNs及anti-EGFR/HGNs的细胞毒性检测以及接受高能照射后的细胞存活率分析；Annexin V-FITC及PI双染法流式细胞术(FCM)检测细胞凋亡和细胞周期；细胞经不同处理后提取蛋白,western-blot检测Bcl-2, Bax, Bad, active caspase 3等凋亡相关蛋白的表达。结果：免疫荧光染色证实EGFR在CaSki细胞表面高表达。TEM测得所合成HGNs平均直径(54.6±7.11 nm),壁厚(5.01±2.23 nm)。分光光度计检测可见HGNs与anti-EGFR连接后表面等离子体共振峰(SPR)的特征性红移(≈20 nm),证实anti-EGFR与HGNs成功连接。Anti-EGFR/HGNs与细胞共同孵育可致细胞内HGNs摄取量显著增加。HGNs及anti-EGFR/HGNs对CaSki细胞均无明显毒性。然而anti-EGFR/HGNs联合X线高能照射表现出显著细胞毒性。与对照组及X线单纯照射组相比,anti-EGFR/HGNs+X线照射组细胞凋亡率明显增加。Anti-EGFR/HGNs使处于G2/M期的宫颈癌细胞比率增加,并通过下调Bcl-2的表达及上调Bax, Bad, caspase-3的表达促进细胞凋亡。结论：anti-EGFR/HGNs显著增加宫颈癌细胞对HGNs的摄取,并通过增强细胞凋亡,显著增加6 MV高能照射对CaSki细胞的毒性,具有放疗增敏作用。