近些年来，随着太阳能在光伏技术领域的日益发展，微晶硅薄膜材料以其无光致衰退效应、光电性能好和成本低等优点，慢慢成为国际上公认的新一代硅基薄膜太阳能电池材料。本文首先采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法在玻璃衬底上制备出非晶硅薄膜，之后采用常规高温退火法和微波退火法来获得微晶硅薄膜。利用正交试验法对射频功率、气体总压、退火温度、硅烷比例、沉积时间、退火时间因素对非晶硅薄膜的影响进行了研究，对透过率和电阻率与非晶硅薄膜的光电性能的关系进行了分析。结果表明：对非晶硅薄膜透过率影响最大的因素应是是气体总压，往下依次应是沉积时间、退火时间、退火温度、硅烷比例，其中射频功率对实验结果的影响最小；对非晶硅薄膜电阻率影响最大的因素则是硅烷比例，而射频功率对非晶硅薄膜的影响次之，再往下依次则是沉积时间、退火时间、气体总压与退火温度，综合以上因素分析：工作压强为100Pa、硅烷浓度为3%、射频功率为90W、退火时间30min、沉积时间20min、退火温度450℃，制备的非晶硅薄膜具有较好的光电性能。在利用正交实验法对两种不同的退火法制备的微晶硅薄膜进行了性能结构测试，用XRD、SEM、拉曼光谱等来表征。常规高温退火法对微晶硅薄膜晶粒大小影响最大的因素是退火温度。制备非晶硅薄膜的优化条件为：退火时间6h、退火温度600℃、升温速率8℃/min、降温速率10℃/min。晶粒大小为30.3nm。用微波法在退火温度为200℃、退火时间120min时，晶粒可达到30.4nm。