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作为集成电路系统的重要组成部分,高速、低功耗嵌入式静态随机存储器（SRAM）的研究开发得到了广泛重视.该文以嵌入式SRAM设计为核心,对嵌入式SRAM存储阵列结构优化、存储单元稳定性,以及电流灵敏放大器等进行了研究,提出了新的解析模型;并分析了超深亚微米（VDSM）工艺对SRAM设计的影响;给出了一种嵌入式SRAM编译器的实现方案.