Sn_xS_y化合物属于IV-VI族半导体化合物材料,种类繁多,应用广泛,具有优异的半导体性能。同时Sn_xS_y化合物的组成元素在地球上储量丰富,价格较低,具有良好的环境兼容性。本论文主要从降低Sn_xS_y薄膜的生产成本,优化制备工艺,寻找一种适合于工业化生产的制备方法入手,并对薄膜的可控制备进行了技术研究及性能表征,主要工作如下:（1）通过对Sn_xS_y薄膜的溶胶-凝胶的初步工艺探索,包括对溶胶-凝胶法制备过程中Sn源、S源、溶剂、稳定剂的选择、水浴温度、时间的控制,Sn²⁺的浓度、S/Sn、热解、退火温度的尝试,初步确定使用溶胶-凝胶法制备Sn_xS_y薄膜的制备方案。（2）以Sn Cl₂?2H₂O为Sn源,CH₄N₂S为S源。S/Sn=1,采用溶胶-凝胶法制备了Sn₂S₃薄膜并系统地研究了退火温度对所制备Sn₂S₃薄膜物理性能的影响。结果表明:退火温度主要影响薄膜的物相进而影响薄膜的其他物理性能。（3）以Sn Cl₂?2H₂O为Sn源,CH₄N₂S为S源。S/Sn=1.4,采用溶胶-凝胶法制备了SnS薄膜并系统地研究了退火气氛对所制备SnS薄膜物理性能的影响。结果表明:所有薄膜的主要物相均为SnS相。当退火气氛由Ar气氛转变为H₂气氛时,SnS相的择优取向由（040）转变为了（101）。而随着择优取向的不同,薄膜表面的片状形貌有所不同。此外,通过分析发现所制备的薄膜禁带宽度最窄为1.10 e V。而所制备的SnS薄膜对近红外区有一定的反射作用。（4）以Sn Cl₄?5H₂O为Sn源,CH₄N₂S为S源。S/Sn=2,采用溶胶-凝胶法制备了SnS₂薄膜并系统地研究了热解温度、退火温度对所制备SnS₂薄膜物理性能的影响。结果表明:所有制备出的薄膜物相都具有六角晶系结构的SnS₂单相。所制备SnS₂薄膜都是疏松多孔形貌,并且热解温度对形貌的影响较大,热解温度越低,孔洞越大。此外,热解温度对光电性能也产生了比较大的影响。而退火温度对溶胶-凝胶法制备出的SnS₂薄膜物理性能影响不大。本文采用溶胶-凝胶法制备出了质量良好的SnS、SnS₂薄膜样品,并探索了以上薄膜制备的最佳工艺参数。为基于溶胶凝-胶法制备高质量Sn_xS_y薄膜的相关研究及应用奠定了基础。