Sn_xS_y化合物属于IV-VI族半导体化合物材料,种类繁多,应用广泛,具有优异的半导体性能。同时Sn_xS_y化合物的组成元素在地球上储量......

单源共蒸发沉积Zn掺杂Sn2S3多晶薄膜，经氮气保护对薄膜进行热处理工艺以改善薄膜的性能，研究不同比例Zn掺杂及不同衬底对Sn2S3薄膜的......

真空蒸发制备Sb掺杂Sn2S3多晶薄膜。研究不同比例Sb掺杂对Sn2S3薄膜的电学、结构、表面形貌、化学组分的影响,实验给出掺Sb5%薄膜......

高纯Sn和S粉按1∶0.41（质量分数,%）配比,均匀掺入9（质量分数,%）的高纯Zn粉,单源共蒸发沉积薄膜后再进行热处理,得到Sn2S3∶Zn薄膜。XRD......

真空蒸发制备Sb掺杂Sn2S3多晶薄膜（玻璃衬底），研究不同比例Sb掺杂对Sn2S3薄膜的结构、表面形貌、化学组分及光学特性的影响。实验给出......