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Cu-W薄膜具有高导热导电性及低的热膨胀系数等优点,广泛应用于微电子及电子器件领域。但铜和钨互不固溶、浸润性差,常规方法很难制得Cu-W固溶体。本实验采用双靶聚焦磁控溅射共沉积,制得Cu-W亚稳态固溶体薄膜。首先,通过实验得到薄膜中W的原子含量随W与Cu溅射功率比的变化曲线。通过EDS、XRD、SEM、TEM等测试,发现Cu-W薄膜由Cu固溶于W或W固溶于Cu的亚稳固溶体组成,且随着W含量的增加,Cu-W薄膜依次形成fcc结构的Cu基亚稳固溶体、fcc和bcc结构固溶体的双相区以及bcc结构