二维范德华异质结的光电特性及其神经形态计算的应用研究

来源 :华中科技大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lelefeng123
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
光电探测器件及技术在卫星遥感、安全监测、自动驾驶等领域发挥着重要的作用。这些领域的不断发展,对光电探测器的小型化、集成化、可延展性以及宽波段响应能力提出了越来越高的要求。相比于传统三维材料,新兴的二维材料可将电子的运动局限在二维平面内,显著增强电子与电子、电子与光子间的相互作用,从而获得优异的电学与光电响应特性。特别地,基于二维材料的范德华异质结,可通过不同材料的层间耦合作用,有效克服单一材料在性能上存在的不足,使器件的整体性能得到进一步提升,在未来的光电探测和神经形态计算中展现了巨大的潜力。本文报告了一种自行设计的高性能石墨烯/二硫化钼异质结光电探测器,其中二硫化钼层对一定范围的光谱具有较高的吸收并能产生电荷,产生的电荷在异质结区内建电场的作用下分离及转移至石墨烯层。而石墨烯层的极高载流子迁移率,提高了光生电子和空穴的迁移速度,使得器件的光响应速度得到提升。在400 nm的入射光照下,器件的响应度达到1.6 A/W,比探测率达到1.04×1011Jones,响应时间低至3.7×10-5s。此外,由于石墨烯的宽光谱响应特性及异质结的层间耦合效应,器件在400~1800 nm的超宽光谱范围内具有良好的光响应。然而,石墨烯和二硫化钼固有的较高电导率以及异质结区势垒高度的有限性,使得器件的开关电流比仅达到2.5,限制了石墨烯/二硫化钼异质结光电探测器的实用价值。针对这一问题,本文对原有的器件结构进行优化,通过引入二硫化钨层增加器件中的肖特基结,制备了二硫化钼/石墨烯/二硫化钨异质结光电探测器,有效降低了器件在暗态下的电流,获得了2.8×10~3的开关电流比,并进一步提升了器件对弱光信号的探测能力,极大地拓宽了器件在光电探测领域中的应用前景。二维材料优异的电学特性和纳米级别的特征尺寸,进一步促进了其在人工神经网络中的应用。在人工神经网络中,引入激活函数运算能够增加神经网络的非线性因素,使神经网络对非线性函数的学习效果更好,但同时带来了更大的运算周期。采用软件实现激活函数的方式,将导致神经网络的时序消耗较大,影响了神经网络的学习效率;通过硬件层次对激活函数进行实现则可以简化计算过程,降低神经网络的时延。基于石墨烯/二硫化钼所展示的良好电学特性,本文提取了其受栅极电压调制下的电学输出特性,并与人工神经网络中的带泄露线性整流(LRe LU)激活函数拟合,设计了一种通过二维异质结器件实现激活函数的人工神经网络。在该神经网络中,本文选取MNIST图像数据库,并利用反向传播算法,对神经网络进行了30个迭代循环的训练。训练完成后,采用随机的手写数字图像对该神经网络进行测试,结果实现了准确率为96%的高精度识别。
其他文献
胶体量子点(Colloidal Quantum Dots,CQDs)是具有宽带吸收、窄带发射且峰位连续可调等发光性质的的无机半导体纳米晶,丙二醇甲醚醋酸酯(Propylene Glycol Methyl Ether Acetate,PGMEA)是一种在工业上被广泛应用的绿色溶剂,在PGMEA溶剂中稳定分散且高效发光的量子点在光电器件领域有很大的应用潜力。然而高荧光量子产率(Photolumines
学位
类脑神经形态器件与脉冲神经网络是近年来的研究热点。本文研究基于石墨烯/氮化硼叠层二维材料的类铁电突触器件以及相应的神经网络。主要研究内容如下:制备石墨烯/氮化硼叠层二维材料晶体管,并系统研究不同二维材料沟道刻蚀工艺对刻蚀掩膜的影响和不同顶栅材料对氮化硼介质的影响。测试石墨烯/氮化硼叠层二维材料晶体管的类铁电性。使用半导体分析仪测试该叠层晶体管的转移特性曲线发现在正电压区域具有逆时针回滞特性。随后系
学位
物体的红外辐射特征是探测、识别、追踪的有效信号,对目标红外辐射的调控越来越成为军事反侦察领域的关注焦点;动态调节目标的红外辐射特性使目标与背景融合,是红外隐身技术的重要发展方向。本文聚焦于红外发射率可调材料研究,采用折射率可调谐的相变材料GST(Ge2Sb2Te5),构建GST/ZnS一维光子晶体结构,开展大气窗口单波段和双波段红外发射率可调薄膜研究。主要研究及结论如下:构建基于GST的一维光子晶
学位
传统计算机架构由于存储计算相分离而面临着显著的延时与功耗问题。相比之下,基于人工突触的神经形态系统有望通过借鉴人脑结构以实现高效信息处理。其中,联想学习作为描述动物学习能力的重要机制,其相应的电路设计对构建神经形态系统具有重要的意义。因此,迫切地需要设计与仿真简单通用且功能完善的联想学习电路。联想学习中以巴甫洛夫进行的一级与二级条件反射实验最为基础。然而目前许多使用忆阻器网络来实现巴甫洛夫联想学习
学位
随着Si基CMOS技术逐渐趋近其物理极限,Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料由于较高的载流子迁移率而受到研究人员的青睐,采用GaAs替代Si衬底可以制备出低功耗、超高速的场效应晶体管,同时,选取k值较高的栅介质材料对于器件尺寸等比缩小、降低栅极漏电也十分关键。然而GaAs表面生成的自然氧化层以及与高k介质不佳的接触界面会严重损害器件性能,因此有必要对其进行一定处理来改善GaAs MOS器件的界面特性。本文的
学位
随着大数据时代的到来,爆炸式增长的数据对计算机的信息处理能力提出了越来越高的要求。由于频繁的数据搬运而无法突破延时和功耗的限制,传统的冯·诺依曼计算架构终将无法顺应时代的需求。因此,迫切地需要提出一种新型的计算架构以解决“存储墙”问题。以缩短数据搬移路径、减少延时和降低功耗为目标的近存计算和存内计算有望成为下一代计算架构的有力候选。忆阻器作为一种新型半导体存储器件,具有器件尺寸小、读写速度快、功耗
学位
舰船在海水中航行时,船壳会发生腐蚀,采用保护技术可减少腐蚀,但因腐蚀产生的电流会流经海水,传动轴等介质返回船体,构成完整回路。同时由于传动轴的转动,会激发出低频的电磁信号并传播到很远的距离,给舰船的隐身安全带来隐患。精确检测舰船传动轴电流,对研究舰船的非声隐身特性等具有重要意义。轴电流幅值范围大,具有复杂的交直流成分,检测环境复杂,且传动轴的尺寸大,现有传感器不能有效的解决这个问题。本文目的是研究
学位
石墨烯的零带隙特性限制了其在逻辑器件中的应用,与其结构类似、具有优良性质的硫族化合物成为了很好的代替者。在硫族化合物家族中,硫化钼(MoS2)和硫化铅(PbS)由于带隙可调、易于制备和光电性能优异等特性,在光电探测领域具有广泛的应用。本文采用脉冲准分子激光诱导合成新方法制备MoS2薄膜,具有快速制备、选区制备、可应用于柔性衬底和合成掺杂同步完成等优势,对其生长机理进行了探索。同时本文利用磁控溅射制
学位
基于CMOS工艺的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)已成为当今信息技术持续发展的基石。MOSFET特征尺寸的等比缩小是延续摩尔定律、持续提升芯片性能的关键。然而,由于玻尔兹曼极限的限制,器件的功耗无法随着器件的微缩显著下降,这限制了芯片性能的进一步提升。因此,迫切需要开发一种新型器件,以打破玻尔兹曼限制的瓶颈,大幅降低器件的亚阈值摆幅(SS),并最终实现功耗的大幅降低。负电容场效应晶体管
学位
氢气作为一种清洁且零碳的可再生能源载体,能够为应对化石类能源过度消耗所导致的全球能源危机和环境污染问题提供有效解决方案。电催化水分解技术是公认的绿色制氢最有效途径,但其较低的能量转换效率和较高的能耗成为了限制大规模化电解水制氢产业发展的关键因素。电解水过程需要引入催化剂以降低反应能垒,但目前的商业化电催化剂主要由贵金属产品组成。然而,贵金属催化剂价格昂贵且储量稀少,这限制了其在电解水制氢领域的大规
学位