氧化硅薄膜因其具有硬度和熔点高、抗磨耐腐蚀、膜层牢固、且绝缘性和稳定性好等优点而被作为绝缘介质层，在半导体Si工艺和GaAs工艺等微电子、光电子器件制作中有着非常广泛的应用。磁控溅射法、热氧化法、凝胶-溶胶法液、液相沉积和化学气相沉积等方法都可以被用来制备氧化硅薄膜。本论文结合公司现有的工艺设备条件，采用等离子增强化学气相沉积（PECVD Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition）方法，利用英国牛津公司的plasma lab80plus PECVD设备对用于激光器掩蔽膜和绝缘膜的氧化硅薄膜沉积工艺进行了研究。论文首先简要介绍了常见氧化硅薄膜制备方法，重点分析了PECVD法制备氧化硅薄膜的基本原理，在此基础上采用PECVD技术对氧化硅的制备工艺进行了探索，通过改变反应气体流量比、射频功率、淀积腔内压强和淀积时间等工艺参数，研究了沉积工艺条件对氧化硅薄膜生长速率、氧化硅薄膜折射率、薄膜厚度、表面形貌和粘附性的影响，结合样品的表征，得到了适合用于激光器掩膜氧化硅薄膜的优化工艺条件。