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本文采用高温固相法制备了一些适合近紫外LED芯片激发的荧光粉，探索了其最佳合成条件以及杂质的最佳掺杂浓度，分析了样品的晶体结构，通过样品的光致激发与发射光谱的测试，研究了其发光性能。主要内容如下： (1)合成了Ba2-xCa(PO4)2:xEu2+蓝色荧光粉，研究了激活剂Eu2+掺杂浓度，焙烧时间及合成温度对其发光性质的影响。XRD谱显示，增大Eu2+掺杂量，衍射峰向大角度方向微偏移。365nm激发下样品发射455nm宽谱带蓝光。最佳合成条件为T4，最佳掺杂浓度为0.04。Eu2+自身浓度猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用。 (2)合成了Sr1-xBaxAl2O4:Eu2+荧光粉。XRD显示，当钡掺杂量x变化时，样品存在单斜SrAl2O4和简单六方BaAl2O4两种晶体结构。在360 nm激发下，样品发射光谱随x的增大由绿光单一发射（λmax=516nm）逐渐向蓝绿光双发射（λmax1=441nm，λmax2=486nm）转变。实验知Sr0.5Ba0.5Al2O4:Eu2+发光效果较好，在Eu2+浓度为0.29％时，双发射峰强度最大，研究表明其浓度猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用。 (3)合成了BaMg2(PO4)2:Eu3+橙红色荧光粉。XRD显示样品为纯相BaMg2(PO4)2晶体结构。该样品适于UV-LED管芯激发，主发射为595nm（5D0→7F1），614nm（5D0→7F2）和700nm（5D0→7F4）。增大Eu3+浓度将促使5D0→7F1跃迁而相对抑制5D0→7F2跃迁。Li+、Na+、K+电荷补偿均能提高发射强度；增大补偿离子半径可提高5D0→7F2电偶极跃迁几率。 (4)合成了电荷补偿的BaMg1.99-x(PO4)2:0.01Eu3+,xN+(N=Li,Na,K)荧光粉，简要分析了Eu3+价态稳定性，研究了电荷补偿离子Li+、Na+、K+对晶体结构及发光性质的影响。XRD显示，补偿离子的引入影响了晶相。单掺Eu3+因价态不稳定会转化为Eu2+。研究Li+、Na+、K+对发射的影响显示，加入适量的Li+，可提高样品橙光发射(5D0→7F1)的几率；而加入适量的K+，可提高样品红光发射(5D0→7F2)的几率。