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本文研究了用分子束外延(MBE)在GaAs衬底上生长GaSb薄膜的工艺技术。通过X射线双晶衍射(DCXRD)、原子力显微镜(AFM)、霍尔(Hall)效应、光致发光光谱(PL)以及X射线光电子能谱(XPS)对材料进行分析测试,讨论了GaSb薄膜的晶体结构、表面形貌、电学特性和发光特性。
为了减少因晶格失配度较大(约7﹪)引起的位错密度,本文采用低温GaSb层作为缓冲层,这种方法也被称为二步法,其基本的生长工艺流程为:在低温(400℃)下沉积GaSb缓冲层,然后升高温度至500℃生长GaSb薄膜。