【摘 要】
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本论文以择优掺杂的钙钛矿型锰氧化物为基础,在改变A位取代离子(Sr和Ca离子)掺杂比例的同时,采用固相反应法和化学镀法引入单质银进行晶界填隙,从而改变材料内部的结构,并对
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本论文以择优掺杂的钙钛矿型锰氧化物为基础,在改变A位取代离子(Sr和Ca离子)掺杂比例的同时,采用固相反应法和化学镀法引入单质银进行晶界填隙,从而改变材料内部的结构,并对其电磁输运性质进行了系统地研究,期望得到在室温附近较大的低场磁电阻。本论文分成六章:第一章介绍了有关锰基钙钛矿氧化物的相关理论、研究进展及其应用现状,在此基础上提出了论文选题的和研究意义第二章介绍了样品制备的工艺,包括固相反应法和化学镀银工艺第三章我们用固相反应法制备了La0.7Ca0.3-xSrxMnO3母体(x=0.10、0.15、0.20、0.25、0.30),研究了A位离子不同掺杂比例对体系电磁特性的影响。我们发现当x=0.10时,体系有接近室温的金属-半导体转变温度Tp和居里温度Tc,并获得了最大的磁电阻(MR)峰值(6.1%,299.5K)。随着x值的增大,Tp往高温偏移,MR峰值减小。第四章在La0.7Ca0.3-xSrxMnO3母体的基础上,用固相反应法将金属Ag(保持掺杂量30%不变)引入LCSMO母体的晶界中。研究表明,Ag填隙在LCSMO颗粒晶界上,降低了体系的电阻率,并对其本征磁电阻有显著的影响。第五章在La0.7Ca0.3-xSrxMnO3母体的基础上,用化学镀的方法将金属Ag引入LCSMO母体晶界中,研究了不同镀银时间和不同x值对复合样品磁电阻的影响。第六章为结论部分
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