氨气（NH₃）是一种在空气污染中对人类危害极大的气体。氨气会严重刺激人类的呼吸道,可引发患者呕吐、头痛、肺水肿甚至死亡。所以开发快速准确检测微量NH₃的气体传感器迫在眉睫。传统的金属氧化物（MOS）NH₃传感器因需要在高温环境下工作而无法得到广泛应用。近年来,二硫化锡（Sn S₂）凭借类石墨烯结构,更高的电负性和较窄的带隙等众多优异的性质,成为了NH₃传感领域炙手可热的研究目标。但是,片层状Sn S₂由于范德华作用力易于堆叠,极大地限制了其性能的发挥。构筑高度分散的花状Sn S₂,是拓展Sn S₂实际应用的举措。为了进一步激活占比较大的非活性基面,需要构建大量的S空位获得更多活性吸附位点,以此来提升材料的吸附能力。由于纯Sn S₂对NH₃的各项传感性能依然不理想,需要进一步优化。因此,本课题从制备方法、缺陷调控、结构复合三个层面出发,依次开展了提升Sn S₂氨气气敏传感性能的研究工作。主要工作如下:（1）通过一步溶剂热法,分别以硫脲和硫代乙酰胺（TAA）为硫源,制备出不同花状形貌的Sn S₂纳米材料。通过各项表征测试,确定制备得到的Sn S₂材料都与XRD标准衍射卡片相对应,半导体类型都为n型半导体,并且相较硫脲,以TAA为硫源制备的Sn S₂其Raman峰值提升了约37%,EDS结果显示S与Sn的原子摩尔比为2.03,证明材料的纯度、结晶性更好。通过简单的气敏测试,发现TAA组的Sn S₂对NH₃的响应值较硫脲组提升了2倍。（2）边缘结构上的活性位点毕竟有限,为了提高占比较大的非活性基面对NH₃的吸附,通过快速氩气（Ar）等离子处理花状Sn S₂纳米片,通过分组控制辐照时间来调制Sn S₂纳米片基面上的硫空位缺陷,确定最佳调控时间。通过表征分析得出,经等离子处理4s后的Sn S₂材料,物相与XRD标准衍射卡片相对应,其Raman峰值提升了约87%,S与Sn的原子摩尔比为1.81,证明材料的纯度、结晶性更好的同时产生了大量硫空位缺陷。BET分析得出比表面积较原来增大了30%,孔径也增大了3%,这为NH₃气体分子的吸收提供了有利条件。研究发现,经过Ar等离子处理4s后的Sn S₂在125℃下测试20ppm浓度NH₃时,响应值高达7.4,并且材料对NH₃拥有优异的选择性,响应值和选择性都较原材料提升了两倍,响应恢复时间分别为137s/176s。在此基础上,通过密度泛函理论对比了材料分波态密度、电子能带结构、差分电荷密度以及吸附能计算,详细解释了含S空位缺陷促使Sn S₂气敏性能更优异的原因。（3）为了进一步提高Sn S₂对NH₃的气敏特性,通过两步溶剂热法构筑了Sn S₂/Mo S₂/GO三重异质结构。根据表征和气敏测试对Sn S₂/Mo S₂/GO的形貌结构进行分析。研究表明,Sn S₂/Mo S₂/GO异质结构通过分散杂质与电子,解除了电子迁移过程中碰撞杂质的可能,这种特殊的结构可以明显改善材料的传导性能,提高材料的电荷迁移率。因此Sn S₂/Mo S₂/GO异质结构可以显著降低气敏传感过程中材料的电阻值及对NH₃的响应恢复时间,响应恢复时间可以达到40s/47s。相较纯Sn S₂响应恢复时间优化了约四倍,并拥有对NH₃良好的选择性,选择性较纯Sn S₂提升了两倍。通过构筑异质结构,为设计具有高速响应恢复特性的LMDs半导体传感材料开辟了更多新的思路。