快响应高压力传感器的研制

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该论文要讲述了快响应薄膜式锰铜高压力传感器的研制,在以前研究成果的基础上,经反复实验,摸索出了镀膜工艺、热处理工艺和自然老化与锰铜膜电阻温度系数(TCR)的重 要关系,得到了优化后的工艺条件和最佳热处理温度,已将锰铜膜TCR降低到20pp/℃(达到 块材水平),避免了冲击加热效应对锰铜膜电阻变化的影响,为锰铜高压传感器准确测压创 造了条件.从理论出发,研究人员设计了一种新型的锰铜传感器:它的基片材料为A1<,2>O<,3>陶瓷或微晶玻璃,这与以前常用的有机绝缘材料(PTFE、PI等)相比高压绝缘性能更好; 封装材料选用与基片材料相同,可避免因界面处冲击不匹配而发生的反射现象;该传感器采用"后置"的安装模式.实验证明,这种新型的锰铜高压力传感器具有响应时间(19ns)、一致性好、寿命长和压阻系数较大等突出优点.这种新结构是研究人员自行设计的,目前并未见过有关报道.在论文末尾还简要地介绍了镱薄膜传感器的初步研制,证明了用真空蒸发制备镱薄膜传感器的可行性.
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