随着SiC晶体生长技术的提高,SiC晶片尺寸也在逐渐增大,具有高效率、高精度、低损伤的新型研磨、抛光工艺正受到人们越来越多的重视。然而,研磨加工会不可避免地给SiC晶片带来一定的表面层损伤,从而影响晶片的加工效率和加工成本。由于SiC晶片的硬度极高,化学稳定性很强,晶片的加工和腐蚀难度很大,表面层损伤检测非常困难。目前对SiC晶片研磨加工表面层损伤检测的研究极少,因此深入研究SiC晶片研磨加工表面层损伤检测技术对最终实现SiC晶片高效率、高精度、无损伤、超光滑表面的加工有着重要的指导意义。本文结合SiC晶片研磨加工的表面层损伤形式,通过系统的试验研究确定了适合于研磨SiC晶片的表面层损伤检测技术与试验方案。并对比分析了游离磨料研磨SiC晶片和固结磨料研磨SiC晶片的表面层损伤形式及形成原因。通过截面显微法和显微拉曼光谱法研究了游离磨料和固结磨料研磨SiC晶片的亚面损伤情况,工艺参数的影响规律及表面残余应力情况。研究结果表明：在研磨参数相同的情况下,固结磨料研磨比游离磨料研磨加工损伤小、加工精度高。SiC晶片研磨加工的亚表面微裂纹构型主要有垂线状、斜线状、钩状、树枝状、人字状及横线状。相同加工条件下(0001)Si面和(0001)C面的损伤深度以及不同晶向处的损伤深度基本相同。同一晶面上,其损伤分布并不均匀,边缘部分的损伤深度比中心部分大0.6gm-1μm左右。在其它研磨参数不变的情况下,当磨粒粒度由W7增大到W28,研磨压力由1psi增大到3psi时,SiC晶片的损伤深度逐渐增大,且磨粒粒度的影响较大。当磨粒粒度为W7时,固结磨料研磨SiC晶片的表面以残余压应力为主且应力值较小,当磨粒粒度逐渐增大到W14、W28时,固结磨料研磨SiC晶片的表面以残余拉应力为主,且应力值波动较大。