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硫化锌晶体（ZnS）和氧化锌晶体（ZnO）都是锌基II-VI化合物宽带隙的直接半导体,是非常重要的发光材料。ZnO的激子束缚能较大（≈60 meV）,透明度高,广泛应用于发光二极管、荧光材料、光催化、太阳能光伏材料、可变电阻以及压电材料等领域。ZnS则在阴极射线管的磷光体,电致发光器件,非线性光学器件,光催化剂及太阳能电池等方面有巨大的应用潜力。而应用ZnS和ZnO材料的关键是其n-型和p-型掺杂。点缺陷对半导体的性质有很大的影响,了解本征点缺陷对于半导体的成功应用是非常必要的。目前已经有很多关于利用共掺控制材料导电类型的研究。但是要想更好地控制材料的导电类型,本征点缺陷的深入研究是非常重要的。SrO作为碱土氧化物是非常重要的技术材料,在催化、微电子等领域都有重要应用。目前,碱土金属氧化物MgO和CaO中的缺陷性质己经被详细研究了,并且这些结果也得到了理论支撑,然而,对于SrO中点缺陷性质的研究甚少。目前GW方法已广泛用于碱土金属氧化物电子结构的计算,计算结果和实验结果取得了很好的认同。因此,本篇文章先模拟计算ZnS和ZnO晶体的点缺陷性质,对比分析两种晶体的缺陷特征,最后用最新的G0W0和BSE方法模拟计算完整和带本征点缺陷的SrO晶体的电子结构及光学性质。第一章,主要介绍ZnS和ZnO晶体,以及SrO晶体的背景知识、基本性质、研究意义和目前的研究现状,并阐明本文的研究目的和内容。第二章,简单介绍计算理论知识和计算软件,包括第一性原理密度泛函理论,多体微扰理论,GW近似方法和BSE方程等基本理论知识,以及VASP和WANNIER90的简单讲解。第三章,基于第一性原理密度泛函理论和热力学计算,考虑到高温下振动熵对缺陷形成能的影响,用VASP软件模拟计算ZnS晶体各本征点缺陷的缺陷形成能,以及研究环境条件对缺陷形成能的影响。第四章,基于第一性原理密度泛函理论和热力学计算,考虑到高温下振动熵对缺陷形成能的影响,用VASP软件模拟计算ZnO晶体各本征点缺陷的缺陷形成能,研究环境条件对缺陷形成能的影响,以及对比分析ZnS和ZnO晶体的点缺陷特征。第五章,基于第一性原理GGA方法和多体微扰理论G0W0近似方法计算完整和带点缺陷的SrO晶体的电子结构,比较不同方法的计算结果。最后基于G0W0+BSE方法,计算SrO的光学性质。第六章,全文的总结。