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由于ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料而且具有较大的激子束缚能，所以在科学研究和技术应用领域很受关注。通过掺杂，ZnO纳米材料可以改变性质和提高性能，因此国内外多个研究小组通过不同的方法成功制备出多种元素掺杂 ZnO纳米材料。而通过Mg掺杂，可以实现对ZnO能带调制作用，从而获得更加广泛的应用。 本研究小组成功利用CVD法制备出了Mg掺杂纳米线、纳米带及非掺杂鱼刺状 ZnO纳米结构，分析了样品材料的结构、形貌、组分和发光特性，并探讨了其形成机理。 1. Mg掺杂 ZnO纳米线采用CVD法在Si(111)衬底上制备出 Mg掺杂 ZnO纳米线:以金作催化剂，通过调节温度、时间、气流，制备出高产率单晶Mg掺杂 ZnO纳米线。XRD和TEM的研究表明纳米线为六方单晶纤锌矿结构，生长方向沿[0001]。EDS分析表明单根纳米线中Mg元素含量约为2.6％，XPS分析显示样品表面 Mg元素含量约为4.2％。室温光致发光谱(PL)显示掺镁氧化锌纳米线存在紫外发射峰和绿光发射峰，峰位中心分别位于388nm和504nm处，对发光机制进行了详细的分析。最后简单的讨论了Mg掺杂 ZnO纳米线的生长机制，对本实验掺杂纳米线的研究对今后 ZnO纳米材料性能的提高和广泛应用有较大意义。 2. Mg掺杂 ZnO纳米带采用CVD法在Si(111)衬底上制备出 Mg掺杂 ZnO纳米带:以金作催化剂，通过调节温度、时间、气流，制备出大量的长直或弯曲的Mg掺杂 ZnO纳米带。研究分析表明:整个纳米带是六方单晶纤锌矿结构，生长方向为[0001]，长度达到为几十微米，宽度范围为几百纳米，厚度为几十纳米，单根纳米带中Mg元素含量约为2.9％。最后，分析了Mg掺杂 ZnO纳米带的发光特性和讨论了其生长机制。这种具有极高表面比的ZnO纳米结构具有很高的潜在应用价值。 3.鱼刺状 ZnO纳米结构采用化学气相沉积(CVD)法，以高纯 ZnO和活性C混合粉末为原料，在Si(111)衬底上制备了大量取向性鱼刺状 ZnO纳米结构。用X射线衍射仪(XRD)，扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、光致发光谱(PL)测试仪及傅里叶红外(FTIR)分析仪对样品的晶体结构、形貌和发光特性进行了分析。最后对晶体生长的特殊形成机制进行了研究，讨论了极性对成核和鱼刺状纳米结构生长的影响。