本文参阅了大量的相关文献,研究了eFuse(electrically programmable Fuse电可编程熔丝)的发展状况和基本原理,基于SMIC的65nm低漏电工艺,设计了顺序存取(先进后出)256bit的eFuse。eFuse技术是利用金属电迁移现象发展起来的一种技术,它能和CMOS工艺技术兼容,面积小。主要用做执行冗余,现场修复芯片,对芯片重新编程,使电子产品变得更加智能化。多晶硅熔丝是eFuse技术的基本元件,它的性能不仅和材料有关,而且和工艺掺杂、温度系数以及编程环境有密切的关系,文章结合工程实践研究了这些参数对多晶硅熔丝的影响,探讨了如何实现高可靠性的多晶硅熔丝。并且,针对65nm工艺中NBTI(Negative Bias Temperature Instability负温度偏置不稳定效应)的影响提出了一种新的实现eFuse存储单元的方法,有效的降低了灵敏放大器的灵敏转折点的波动,从而进一步提高了eFuse的可靠性。同时,在版图设计过程中增加了先进工艺中不可缺少的设计——DFM(可制造性设计),提高了产品的良率、减小了生产周期并且降低了成本。最后,流片测试表明该设计性能良好。