本文阐述了离子注入法在半导体掺杂领域中的重要意义,并利用此技术制备了注入浓度不同、元素不同的金属纳米颗粒以及不同掺杂配比的二元合金纳米颗粒。在介绍了相关测试技术工作原理的基础上,综合运用紫外可见光谱、原子力显微镜、和同步辐射荧光XAFS研究了不同注入参数对掺杂材料的光学吸收、表面形貌和局域微观结构的影响。详细介绍与总结了处理荧光XAFS测试数据所需的晶体结构数据库、FEFF计算以及IFEFFIT软件的使用方法以及注意事项。通过上述测试与分析,得到了注入元素的振荡信号以及精细结构信息,包括近邻元素组成、配位数、原子间距等,并对其做了分析。采用紫外可见荧光光谱和同步辐射真空紫外荧光光谱测试了掺杂材料的光学性质,分析了注入过程引入的缺陷及材料的能态结构变化。综合以上分析,我们发现了掺杂材料的局域微观结构与其光学性质的变化规律,从而为此类材料在半导体掺杂工艺中的生产应用提供了科学依据。