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SiC材料与Si和GaAs材料相比，具有禁带宽、临界击穿电场宽、饱和电子漂移速度高、热导率大等优良特性，因此成为制作高温、高频、大功率器件的理想半导体材料。本文主要研究了SiC MOS的电学特性和主要工艺。介绍了MOSFET的理论基础，研究了影响6H—SiC MOSFET沟道迁移率的各种散射机制，包括体晶格散射，表面粗糙度散射，表面声子散射和界面态散射以及高场迁移率，根据半导体器件物理理论，推导和编程建立了一种迁移率解析模型，并讨论了温度，衬底掺杂浓度和电场对迁移率的影响。模拟了温度对6H-SiC MOSFET输出特性、阈值电压、跨导等电学特性的影响。研究总结了碳化硅的刻蚀、离子注入、氧化、金属化等关键工艺技术的发展动态，归纳了碳化硅器件工艺的特征和技术难点，并重点介绍了氧化退火工艺对器件特性的影响，总结分析了在一氧化氮、氢气、湿氧条件下的氧化后退火对器件的电学特性的影响。