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层状结构族化合物钛酸镧铋材料因具有优良的铁电、压电性能及高居里温度等特点而广受重视。固相法制备的Bi4Ti3O12陶瓷样品在900℃烧结就可以达到90%以上的相对密度,而La掺杂的Bi3.25La0.75Ti3O12陶瓷则需要1100℃以上的烧结温度。烧结添加剂和二次烧结工艺是制备致密化陶瓷的常用技术途径。本文探究了添加剂SiO2和二次烧结对Bi3.5La0.5Ti3O12陶瓷的相组成,相对密度,显微结构,介电性能和铁电性能的影响。采用沉淀法制备了掺镧钛酸铋(Bi3.5La0.5Ti3O12,BLT)粉体,并对添加1.0wt%SiO2的掺镧钛酸铋坯体进行了不同烧结工艺实验,研究结果表明,加入烧结添加剂后,当第二次烧结温度在980℃到1020℃阶段内,材料的相对密度随着烧结温度升高而显著增大,但当烧结温度超过1020℃时,材料的相对密度提高趋势变缓。随着第二次烧结温度的提高,Bi3.5La0.5Ti3O12陶瓷的铁电性能也是逐渐提高的,当烧结温度为1060℃,Bi3.5La0.5Ti3O12陶瓷的剩余极化强度Pr的值是9.8μC/cm2,相应的矫顽场Ec的值为63.7 kV/cm。在烧结温度为1040℃时,随着烧结时间的延长,晶粒的片状结构逐渐发展为椭球形或厚片状,相对理论密度略有下降,材料介电性能和铁电性能变化不大。在相同烧结条件下(1040℃/2h,二次烧结),加入1.0%SiO2的Bi3.5La0.5Ti3O12陶瓷的剩余极化强度Pr的值为7.1μC/cm2,略低于相同条件下不加烧结添加剂的Bi3.5La0.5Ti3O12陶瓷的Pr值(11.0μC/cm2),说明SiO2添加剂没有改善材料的铁电性能,这可能与SiO2能明显促进Bi3.5La0.5Ti3O12陶瓷晶粒的长大,导致两种试样的显微结构具有较大差异有关,也可能与氧空位缺陷或其他缺陷钉扎畴壁效应的大小有关。分析不同烧结工艺的Bi3.5La0.5Ti3O12陶瓷的介电温谱发现,居里温度点均随着测试频率的升高向低温方向移动。但在两次烧结(烧结温度为1060℃)与氧化硅添加剂的协同作用下,测试频率为1kHz时,发现Tc下最大介电常数值高达24400,其值是100kHz测得的最大介电常数数值(2070)的12倍。分析了介电温谱中100℃~350℃温度区间损耗因子随温度的变化规律并拟合了相关的激活能数据,结果说明不同烧结工艺的Bi3.5La0.5Ti3O12陶瓷,添加SiO2作为烧结助剂后,氧空位的激活能从0.66eV升高为0.83eV,预期可以降低材料中氧空位浓度,但二次烧结工艺和添加SiO2的协同作用使得Bi3.5La0.5Ti3O12陶瓷损耗峰增高。