近几十年来，随着无线通信技术的不断发展，人类已基本实现随时随地通信的梦想，相应地，人类对高性能大容量无线通信系统的需求也越来越大。在这种形势下，射频与通信集成电路的研究已趋于白热化。目前，各种无线通信标准并存，但市场份额最大的还是GSM系统，因此，针对GSM标准进行射频接收电路的研究和设计具有重要的现实意义。 低噪声放大器(LNA)和混频器(Mixer)是无线通信射频接收机中不可缺少的关键电路。近年来，随着无线通讯由第二代(2G)标准向第三代(3G)标准过渡，系统对芯片的噪声系数和线性度等指标提出了更高的要求。同时，为了满足产品化后高可靠性和低成本的要求，芯片需要高集成度，因此射频接收机必须单芯片实现。 本文介绍了LNA和Mixer的基本原理以及几种常见的LNA和Mixer结构，并对各种结构的优缺点作了阐述。针对目前LNA和Mixer中应用最为广泛的源极电感负反馈LNA和CMOS开关型Gilbert混频器，文章作了较为详细的分析。在此基础上，文中对这两种结构进行了优化，提出了全差分电感负反馈LNA结构和低压Gilbert混频器结构。该优化的结构扬原有电感负反馈LNA和Gilbert混频器电路之长，避其之短，解决了LNA电路中电感失配的影响，Gilbert混频器电路中电源电压高、线性度低的问题。 CMOS工艺的电感和MOS管噪声是设计LNA和Mixer时需要考虑的非常重要的问题。本文专门介绍了电感的模型、品质因数以及自谐振频率，介绍了MOS管的射频和噪声模型以及其最新发展，讨论了模型的选择对设计结果的影响。 文章根据GSM接收机标准给出了基于0.6μmCMOS工艺、采用全差分电感负反馈结构的LNA和低压Gilbert结构混频器完整的电路设计、模拟结果和版图设计。模拟结果表明，采用该方案的LNA和Mixer基本达到了GSM的设计标准。更进一步的结果有待于芯片制作完成后的功能测试。