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基于0．5μm CMOS工艺设计并制备了一种应用于红外焦平面读出电路的多层堆叠（ stack）电容结构，测试结果表明，相比单一形式电容，stack电容......
本文提出了应用于毫米波段的MOS变容管的建模方法。针对标准0.18mm CMOS工艺,采用2D器件仿真软件MINIMOS设计实现积累型MOS变容管,......
提出了针对毫米波CMOS应用的nMOS场效应晶体管的建模方法。对采用0．18μm标准CMOS工艺的nMOS场效应管进行了版图的优化设计，并提出和......
文章采用ＨＰ的ＩＣ－ＣＡＰ对亚微米ＭＯＳＦＥＴ模型参数进行提取，给出了器件结构，测试系统及提取结果，并对提取模型的精确性进行了分析。......
器件模型作为工艺与设计之间的接口,对保证集成电路设计成功具有决定意义。本文介绍了BSIM3模型的原理,并完成了低温下（77K）BSIM3模......
对适用于超深亚微米电路模拟的MOSFET器件模型进行了研究,完成计入量子效应、多晶硅耗尽效应等基于BSIM3的MOSFET模型.针对阈值电......
低噪声放大器(LNA)是无线系统前端中重要器件,其性能决定了整个接收机的信噪比及整机性能。本文首先在介绍了低噪声放大器的工作原......
对于当前的集成电路设计技术，计算机辅助模拟已成为一种不可缺少的工具。电路模拟器能否用于大规模集成电路的设计和分析取决于模拟......
