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金刚石因其优异的性能而备受人们关注。相对于低压气相沉积和高温高压制备金刚石技术，选择性刻蚀法制备碳化硅衍生金刚石（Silicon Carbide Derived Diamond，简称SCDD）是一项极具吸引力的技术，它具有工艺简单、成本低廉、膜基结合性强等优势。为获得SCDD膜的制备技术，本文从SCDD膜的形成机理、实验装置研制、SCDD制备工艺等方面开展研究，完成的主要工作及取得成果如下：（1）研究了选择性刻蚀工艺中金刚石的生长机理。从原子结构转化、热力学角度阐述了金刚石的形成机制。Cl2