【摘 要】
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随着VLSI技术和MEMS技术迅速发展,使得单片集成传感器技术已成为传感器研究的主要方向。基于单片集成传感器对其内部模数转换器的速度和分辨率要求不高,在满足前二者的情况下
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随着VLSI技术和MEMS技术迅速发展,使得单片集成传感器技术已成为传感器研究的主要方向。基于单片集成传感器对其内部模数转换器的速度和分辨率要求不高,在满足前二者的情况下着重考虑面积和功耗都尽量小。鉴于逐次逼近型ADC是中高分辨率低功耗ADC设计中的最佳结构,本文在传统的SAR ADC基础上对各个子模块进行调整改进,使之达到低功耗要求。本论文基于CSMC0.5μm DPTM CMOS工艺,实现一种10位具有2MS/s速度的SAR ADC,包含的子模块有:采样保持电路,DAC模块,比较器和数字控制逻辑。其中采样保持电路采用自举开关来实现,可提高开关的线性度,减小失真,实现精确采样;DAC电路的电容阵列开关顺序也得到了改进,降低DAC上的功耗;比较器采用恒流源动态比较器,通过时钟的控制,降低了比较器的静态功耗。仿真和验证是在Cadence软件平台上进行的,使用Specter和MATLAB等EDA软件对各个子电路及整体电路进行功能仿真和验证,参数调整使之达到设计要求。最后在Virtuoso软件下完成版图设计,用Dracula软件进行设计规则和电气规则检查,最后进行寄生参数提取和后仿真。实现在580kS/s采样率和13kHz信号输入频率下,电路的信噪比为59.1806dB,无杂散动态范围为79.1101dB。芯片面积为1mm2。5V电源电压供电时,功耗为6.2mW。
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