纳米针状导电粉的制备及性能研究

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以SnCl<,4>·5H<,2>O和SbCl<,3>为原料,采用化学共沉淀法制得纳米级掺锑二氧化锡(ATO)的前驱物,在一定条件下焙烧,成功制备了短径为10~30nm,长径为50~500nm的金红石结构的针状纳米ATO粉体,其体积电阻率最低可在40Ω·cm以下.运用热重分析(TGA)、X-射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、能谱分析(EDS)及比表面积测试(BET法)对针状ATO进行了表征,初步探讨了其形成机理,认为NaCl和SiO<,2>对其形成起到至关重要的作用.较系统地研究了掺锑量、反应温度、滴定pH值、助熔剂、焙烧温度及焙烧时间等对粉体形貌结构和导电性能的影响规律.并对CdO的掺杂和纳米球状ATO粉体的包覆进行了研究,表明采用掺杂和包覆方法可降低粉体的体积电阻率,但同时会影响其针型度.对针状ATO在涂料中的应用亦进行了研究,表明针状ATO粉体与球状粉体相比只需较少用量即可达到良好的抗静电效果,并提高了透明度.
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