ZnO为一种直接宽禁带半导体,其宽达3.37eV的禁带宽度使其吸收边位于紫外波段而在可见光范围内具有很好的光学透过率,随着Al等元素的掺杂,可以有效地提升其光电性能,Mg等元素的掺入可改变ZnO晶体的禁带宽度,实现其禁带宽度的连续可调,因此最近对ZnO的研究主要集中于紫外发光器件,激光二极管等光电器件的开发上。本征的ZnO为n型半导体,其具有自补偿效应,很难制备出性能优异且稳定的p型ZnO,成为了ZnO同质结研发的瓶颈,很多人把目光投向ZnO异质结结构器件的研发。而NiO同样作为一种直接的宽禁带半导体材料,其禁带宽度为3.6-4.0eV,为本征的NiO薄膜呈p型导电,也被广泛应用于传感器,电容器和半导体光电等领域。因此本论文制备了 n-ZnO/p-NiO异质结并对其性能进行了分析,希望对ZnO基半导体材料的发展有所帮助。本论文采用磁控溅射设备首先制备了 ZnO薄膜,并通过调节衬底温度,溅射气氛中氧百分含量等制备工艺参数来探究对其性能的影响,随后通过Al³⁺和Mg²⁺的掺杂分别讨论了 Al³⁺的掺杂对薄膜电学等性能的影响和Mg²⁺的掺杂对其禁带宽度等性能的影响,并制备了光学和电学性能都较好的透明氧化物导电薄膜。之后,我们用磁控溅射制备了 NiO薄膜,并通过Cu²⁺的掺杂获得了电学性能优异的NiCuO薄膜,随后通过对衬底温度,溅射气氛中氧百分含量等工艺参数进行调控,并对所得样品进行讨论,最终获得了晶体结构和光电性能更好的NiCuO薄膜。最后制备了n-ZnO;Al/p-Ni_0.9Cu_0.1O异质结并对其整流效应等性能进行了分析,随后讨论了退火和插入i-ZnMgO中间层对pn结的电学性能的影响。