随着现代科技的进步和工业化的需要,二氧化硅以其优良的性能已经广泛的被应用于各个方面。在电子工业领域成为良好的导电材料,光学方面被用于制造各种不同性质和类型的涂层；涂覆在不同器件上面成为各种类型的防护薄膜以及增加光的吸收和穿透性能的薄膜;在元电领域,单晶硅电池表面也涂覆有二氧化硅涂层来增加光电转化率。目前在光热发电领域,太阳能集热器选用的材质是硼硅玻璃,它的透光率现在基本上已经达到极限,而将二氧化硅制备成涂层薄膜涂覆在其内外表面能够增加透光率减少反射光的损失。二氧化硅的广泛应用使得它制备量更加巨大,制备方法不仅仅局限在以往的各种物理沉积方式如溅射、真空蒸发,还有溶胶凝胶法和氧化法,更加广泛的方式是化学气相沉积。相比传统的气相沉积,PECVD(等离子体辅助化学气相沉积)方法因为其鲜明的技术优势已经成为当前研究涂层制备方面的主要手段。PECVD方法简单易行,得到的涂层薄膜表面平整,没有明显的缺陷,使用性能非常好。本文在论述了薄膜材料的发展及SiO2增透膜的常用制备方法的基础上,重点研究了PECVD方法制备Si02增透膜的原理、实验系统的建立、实验设备的结构及工作原理,探讨了影响涂层制备的各个参数,如气体压力、沉积时间以及输入的高频功率。在此基础上,对实验结果进行了结构和表面形态分析、光学性能研究,实验结果表明,采用自行设计制造的PECVD实验系统,在不同基体材料上成功的制备了Si02薄膜。经过退火工艺处理的薄膜将硼硅玻璃平均透光率提高了2.93%,改善了太阳能集热罩管的光学性能。