【摘 要】
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宏孔硅可应用于微通道板和光子晶体等多个领域。制备规则排列的宏孔硅阵列结构首先需要在硅片表面加工诱导坑。本文对各向异性湿法腐蚀诱导坑工艺进行了研究,确定了欧姆接触
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宏孔硅可应用于微通道板和光子晶体等多个领域。制备规则排列的宏孔硅阵列结构首先需要在硅片表面加工诱导坑。本文对各向异性湿法腐蚀诱导坑工艺进行了研究,确定了欧姆接触层制备工艺,对光刻过程中出现的问题进行了分析,并给出合理可靠的光刻工艺条件,选用KOH溶液腐蚀出了倒四棱锥结构的诱导坑。研究了感应耦合等离子体(ICP)刻蚀诱导坑工艺,对其进行了理论与实验的分析,探索了ICP工艺刻蚀宏孔硅阵列,对深硅刻蚀中的Lag效应、孔内壁条带现象和RIE草现象进行了理论分析。研究了不同工艺制备的诱导坑对宏孔硅光电化学腐蚀的影响。倒四棱锥结构的诱导坑在光电化学腐蚀初期容易导致瓶颈效应,造成盲孔。倒四棱台结构的诱导坑使宏孔硅出现分叉现象。诱导坑制备时不一定需要在诱导坑末端做出尖的结构,但这会扩大宏孔硅的尺寸。当ICP刻蚀的诱导坑深度远大于宽度时,光电化学腐蚀诱导坑得到的宏孔硅不会出现分叉情况。
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