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近年来,随着纳米技术的不断发展,对半导体材料的电子性质提出了更高的要求。二维半导体材料的带隙、磁性、载流子迁移率等直接影响其在电子器件领域的应用。其中,单层黑磷,以其各向异性、温和的直接带隙、高载流子迁移率等特性,在电子器件的制备上具有很大的应用潜力。而在实际应用中,通常需要对材料进行改性处理,从而扩大材料的应用范围和优化其性能。掺杂是一种调节二维材料电子性质和磁性的有效方法,通过掺杂可以使材料产生特定的磁性等,使其可能应用在自旋电子器件中。因此,研究原子掺杂后单层黑磷性质的变化对其在电子器件领域的