研究质子、中子以及一些轻原子核(例如氘核、He-3等)的电磁形状因子对于了解核子结构具有非常重要的意义。通过研究电磁形状因子可以知道核子或原子核内部的电荷分布和磁化分布。长期以来,氘核的电磁形状因子一直是人们关注的焦点。氘核与质子(中子)不同,他的总自旋为1,在单光子近似下有三个电磁形状因子,分别为电形状因子GC、磁形状因子GM和四极矩形状因子GQ。人们发现,在由质子和中子构成的氘核中,S波成分是占主要的,D波仅仅占百分之五左右。本文中我们利用等效拉氏量方法来研究氘核的电磁性质。在这个模型中,氘核被看做是由一个质子和一个中子(结合能为∈D～2.22MeV)构成的弱耦合束缚态,并且这两个核子相对处于S波。我们在光锥坐标中得到了氘核电磁形状因子在横向平面内的表示。所求得的电磁形状因子在小Q2区域与唯象参数化结果或实验数据都符合。但是在Q2较大的区域我们的结果与唯象参数化结果或实验值有一定的偏差。对电磁形状因子做二维傅里叶变换,我们进一步得到横向平面内氘核的电荷密度ρC(b)和磁密度ρM(b)。电磁密度ρC,M(b)是碰撞参数b的函数。我们发现,在大b区域(对应小Q2区域),我们的结果与唯象参数化结果拟合得较好。但是,在小b区域(对应大Q2区域)存在差异,随着b的减小,这种差异逐渐增大。这是因为我们对大Q2区域的电磁形状因子的了解不够。此外,我们还将四种已有的唯象参数化得到的氘核电形状因子进行傅里叶变换,给出了对应的横向电荷密度。我们发现虽然四种已有的唯象参数化方法得到的电形状因子在小Q2区域与实验符合得相当好,但却给出了非常不同的ρC(b),尤其是在b很小的时候。这是因为横向电荷密度在b～0的行为主要由大Q2区域的电形状因子决定。最后,我们还利用Paris N-N势给出的氘核波函数重新研究氘核的均方根半径,特别是研究均方根半径与远处氘核波函数的关系。总之,通过本论文的研究我们发现在中心处(b=0)的横向电荷分布与大动量转移情况下的形状因子密切相关,他可以对不同的模型理论给出判别。另外,远处波函数的行为对我们深入认识氘核的均方根半径是有帮助的。这一点与近期对质子均方根半径的研究结果是一致的。