本文利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了未掺杂、A位掺杂与B位掺杂铬酸镧材料的电子结构,揭示了掺杂对材料电子结构影响的微观机理以及对导电性能的影响规律,为铬酸镧材料的开发利用打下基础。通过对自洽计算得出的能带结构、电子态密度分布、重叠布居、Mulliken电荷布居以及差分电荷密度进行分析后,得出主要结论如下:(1)构建了无掺杂铬酸镧模型,研究了无掺杂情况下体系的电子结构。无掺杂铬酸镧为间接带隙半导体材料,费米能级附近的价带与导带由自旋为alpha态的电子能级构成;价带范围-8～0 eV主要由Cr的3d态与O的2p态轨道成键构成;导带范围0～6 eV是由La的5d、Cr的3d以及O的2p态轨道成键构成;La-0键为离子键,Cr-O键为共价键。(2)构建了三种不同Ca掺杂浓度的铬酸镧模型;Ca替位掺杂La后,铬酸镧的晶胞体积变小,晶格常数在Ca掺杂位置发生畸变;费米能级附近的价带与导带仍由自旋为alpha态的电子能级构成,Ca掺杂后费米能级进入价带,材料变成p型掺杂半导体;随着Ca掺杂浓度的增加,价带顶与导带底的间隙逐渐缩小,材料的导电性增强,与文献实验结果一致;由电子态密度分布分析出Ca的掺入影响Cr原子3d轨道电子的态密度分布状态,从电子态密度分布的角度验证了Zener的双重交换理论;Ca-0键的键长大于La-0键的键长,Ca-0键为离子键。(3)构建了三种不同Mn掺杂浓度的铬酸镧模型;Mn替位掺杂Cr后,铬酸镧的晶胞体积变大,晶格常数在Mn掺杂位置发生畸变;费米能级附近的价带与导带由自旋为alpha态的电子能级构成,Mn掺杂后费米能级进入价带,材料变成p型掺杂半导体;随着Mn掺杂浓度的增加,费米能级附近的能带宽度变宽,电子的有效质量变小,容易受外场作用而获得加速度,因而材料的导电性增强;由Mulliken电荷布居分析出Mn的掺入对La、Cr原子的电子转移影响不大,Mn主要与O之间发生电子转移;Mn-O键的长度大于Cr-O键的长度,Mn-O键为共价键。