容性耦合等离子源(Capacitively Coupled Plasmas, CCP)是半导体制造工艺中不可或缺的设备,通常CCP放电具有以下优势：放电腔室简单容易搭建,在低气压下放电可以产生大面积均匀等离子体,不仅可以有效的沉积半导体薄膜,还能够控制离子能量产生高能离子轰击刻蚀材料。但随着微电子工业的高速发展,对半导体器件的尺寸要求越来越小,这对CCP放电提出了更高的要求。为了满足半导体工艺的需求,CCP源也在不断发展并进步,工艺中CCP源的外部放电参数选取十分重要,如电源的选取(单频、双频、多频、直流),气压,放电间隙等参数。它们决定着等离子体的密度,通量,离子能量等内部参数,这些参数对沉积速率、刻蚀速率和刻蚀选择性有着直接的影响。因此有必要仔细研究这些外部参数的影响。在CCP放电中,离子在鞘层电场的加速作用下将轰击到电极上,发射出二次电子。由于CCP放电的气压通常不是很低(几十毫托到几百毫托),二次电子会对放电有着一定的影响。大多数CCP模拟中没有对这些气压条件下细致的研究二次电子的作用,本文主要针对考虑二次电子(离子诱导)的放电参数进行研究,并分析二次电子在放电中发挥的作用。本文采用流体和电子蒙卡洛混合模型进行模拟研究。流体模型通常具有计算速度快的优势,但由于其建立在麦克斯韦分布的基础上往往计算不精确。采用电子蒙特卡洛模拟可以在一定程度上克服流体的缺陷,本文的蒙特卡洛模拟由两部分组成,一部分是体区电子蒙特卡洛模拟,一部分是二次电子蒙特卡洛模拟,这种模拟方案有一个天然的优势,我们可以将两种电离源分开计算,然后通过对比说明二次电子对放电带来的影响。本文的研究具体包括了气压、电压、极板间距,直流偏压和双频电源的低频电压影响,结果表明二次电子的影响通常不仅受单一的参数控制,更取决于参数之间的搭配选取。二次电子的最终贡献取决于其电离率的贡献。