在所有描述半导体的数学模型中，流体动力学模型和漂移扩散模型是应用最广泛的模型。 漂移扩散模型自上世纪五十年代初一出现，就得到了人们的广泛关注。但随着微电子技术的发展，它不能很好的解释半导体中的有些现象，流体动力学模型就应运而生了。 本论文包括两个方面。 首先，主要研究带p-n结的隔绝半导体的一维双极的标准漂移扩散模型： 证明了对一类特殊的初值，这一方程的解收敛到对应拟中性极限方程的解，即：定理2.2若（n^λ，p^λ，E^λ）是问题（Ⅰ）（Ⅱ）的古典解，假设D（x）∈C⁴，D_x（x=0，1）=D_xxx（X=0，1）=0，且存在常数M和α＞0使得对任意的λ＞0则存在依赖于T的常数λ₀：0＜λ₀＜＜1，使得对任意的λ：0＜λ≤λ₀，存在不依赖于λ的常数（?），对任意的δ∈（0，min{α，2}）都有 我们应用的主要方法是能量方法，关键技巧是引入函数变换和λ-加权范数，使我们能够得到关于量级化德拜长度的一致估计。其次，研究在外部区域上的高维流体动力模型初边值问题:证明了该问题的解依指数形式收敛到对应稳态问题的解，这一结果已发表在河南大学学报（自然科学版）2003年第四期上。